据外媒Phone Arena报道，高通下一代移动处理器骁龙820将采用更成熟的制造工艺，以实现功耗发热和性能之间的平衡。
传骁龙820有两个版本 尝试10nm工艺
据悉，三星14nm FinFET工艺将是骁龙820选择的方案之一，这一方案已经比较成熟，应用于Exynos 7420处理器。同时，高通也在考虑10nm FinFET的版本。此前，三星宣称10nm工艺会在年底试产，结合骁龙820的量产时间，采用10nm FinFET也并非没有可能。
目前，高通并未透露关于骁龙820的更多消息，只是称其会使用非平面FinFET工艺。照此来看，三星14nm和10nm工艺，以及台积电16nm制程工艺均属于此范围。此外，骁龙820还会配备Adreno 530图形处理器和全新的DSP，支持反恶意软件功能。
据了解，14nm FinFET和10nm FinFET分别使用的是LPE(Low Power Early)和LPP(Laser-Produced Plasma)版本。其中，LPE为早期版本，功耗和封装面积都有进步，但相对不成熟，LPP则是升级版，性能更加出色。由于三星14nm FinFET工艺已经成熟，而10nm FinFET工艺还有待进步，因此采用14nm FinFET LPP搭配10nm FinFET LPE的策略也比较合理。
