这两年，手机芯片开至标榜16/14nm FinFET工艺，现在芯片厂商们争相蓄力10nm工艺，继昨天联发科新十核Helio X30曝光将采用10nm工艺后，根据最新的消息，高通CEO Steve Mollenkopf在接受分析师提问时透露，高通的10nm工艺芯片已经定案，同时开始送样给客户。
虽然Steve Mollenkopf没有透露明年的这款处理器具体是哪款产品，但很早之前就有消息曝光，高通骁龙830处理器将采用10nm工艺，最大可能支持8GB内存。此外Steve Mollenkopf还透露，高通2017年的10nm订单都会交给三星，不过也会继续坚持多个来源的策略，也就是说，明年三星或将全权负责高通10nm芯片的订单。
根据之前曝光的信息，骁龙830将采用10nm FinFET制程工艺和Kyro 200架构，搭载Adreno 540、X16基带，据称它的下载速度高达980Mbps，并拥有LPDDR4X内存和4K×2K/60fps视频录制，将实现性能和功能的双提升。至于发布时间，那主要取决于客户产品。目前看明年初是最有可能的，预计将于明年MWC展上发布的三星的Galaxy S8将会成为骁龙830的首发机型。
