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10月 17

三星宣布10nm芯片量产:S8或将搭载

编辑:匿名 来源:IT之家
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三星电子今天宣布已经开始采用10nm FinFET工艺量产逻辑芯片,三星也成为了业内首家大规模采用10纳米工艺的厂商。

三星表示,用10nm量产的芯片将用在明年上市的IT产品中,显然这是在指下一代旗舰Galaxy S8手机三星表示,相比14nm工艺,10nm工艺制造的芯片性能提升27%,同时功耗降低达40%,并且10nm工艺允许每个晶圆多制造30%的芯片。

目前三星正在使用第一代10nm工艺量产芯片,该公司表示明年的商业产品能够用上第二代。

根据之前的报道,三星将独家代工骁龙830芯片的生产,这款芯片就将采用10nm工艺,据悉将有大约一半的S8搭载骁龙830。

三星今年早些时候开始采用第二代14nm工艺量产芯片,主要合作厂商是高通。根据之前的报道,三星的竞争对手台积电将于今年年底采用10nm工艺量产芯片。

三星Galaxy S8

三星手机
网络制式 GSM & WCDMA 待机模式 双卡多模
系统界面 主屏参数 5.2寸1600万色
主屏分辨率 2160x3840 CPU 八核 2.6GHz
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