在7nm制程工艺的研发竞争中，台积电和三星都在持续投入，以求在7nm的关键节点上占得先机。其中台积电已经计划于今年风险试产7nm芯片，明年实现大规模量产，而三星则制定了更为激进的技术路线图：7nm芯片在明年年初就可量产，刚好赶上开年旗舰的发布，三星Galaxy S9将成为首款搭载7nm处理器的机型。
在刚刚结束的三星第四季度业绩报告会上，三星半导体LBI负责人表示，7nm工艺是一项技术上的挑战，但三星希望成为行业的领导者，因此制定了一份激进的技术路线图，计划于2018年初实现7nm芯片的量产，以此赶上开年Galaxy S9的发布。
业界普遍认为，10nm是短节点或是过渡性节点，而7nm则将是长寿的重要节点，将使处理器的封装面积、功耗、性能得到改善，包括苹果、高通等处理器设计大厂都已虎视眈眈，巨大的需求与高额的利润并存。
为了如期实现7nm制程工艺量产的目标，三星已经着眼于下一代的极紫外光微影(EUV)技术，该技术被业内认为是使晶体管之间距离进一步缩小的关键，与现有的技术相比，可以连续单次曝光，大大减少制造过程中的多重曝光步骤、光罩数量以及时间和成本。
在此期间，除了7nm的持续投入，三星也在致力于完善现有的旗舰10nm工艺，包括骁龙835以及自家Exynos处理器的量产，而14nm工艺将服务于中端芯片以及可穿戴设备的芯片。
