在今年的MWC上，HTC因其推出的三款One系列手机成为了最受关注的厂商。这其中，除了全球首款上市的四核手机One X外，另一款融合了HTC诸多尖端技术的One S手机也是同样风头十足。
不仅因为搭载了最新的高通骁龙S4双核处理器，One S机身还采用了顶尖的金属陶瓷（ceramic metal）制造工艺，所以这款手机自发布以来，关注度也是不输HTC自家的四核旗舰One X。
由于金属陶瓷设计对工艺要求非常高，所以HTC One S的上市日期还未有明确定论，不过，笔者还是抢先拿到了One S的行货版工程样机，下面，笔者就来为大家揭开这款手机的神秘面纱。
HTC One S正面虽然依旧是HTC惯用的直板大屏造型，较之前的机型来看，机身更流畅，更显国际范儿。此次，HTC One S配备了4.3英寸的qHD（960×540）分辨率屏幕（实际显示分辨率888×540）值得一提的是，HTC One S终于用回了我们久违的Super AMOLED屏幕，不过子像素依旧是Pentile排列，可能会在一定程度上影响文字的显示效果。此外，One S的屏幕还使用了带有有一定弧度的康宁大猩猩玻璃，即带艺术感，又耐磨抗造。
正面设计
HTC One S屏幕上方配备了30万像素前置摄像头，相比One X的130万像素前置镜头来说，规格稍显寒酸，不免让人心生遗憾。
仅配置了30万像素前置镜头
很多朋友可能已经注意到了，不论是MWC上展出的真机，还是HTC官方的效果图，之前HTC One S都是采用了与One X一样的三按键设计。不过，由于行货版的One S是与新浪微博合作的，所以它在任务键右侧还多了一枚新浪微博键，这点也是与行货版的One V一样。
在最右侧加入了新浪微博键
要说HTC One S在设计上的最大亮点可以说就是刚才我们提到的这个金属陶瓷（ceramic metal）机身了。虽然它的机身采用了铝合金材质，但我们在触摸HTC One S表面机身时，能够感觉到它强烈的陶瓷质感（尽管不是那种光滑的陶瓷），视觉与触觉的强烈反差非常明显。
根据HTC官方介绍，这其实是由于One S的机壳表面经过了名为“微弧氧化阳极处理”（micro-arc oxidation）的工艺处理，它多用在人造卫星与飞弹等高科技材料，基本上是用微小的高温电浆，在七千度至二万度的温度下烧灼铝金属表面，而铝金属表面呈现雾面陶瓷触感，称为金属陶瓷（ceramic metal），优点是硬度高、相当耐刮。对于质感这点笔者比较认同，不过耐刮这点，小编可真没感实际测试，One S这个奇缺物种，目前我还不敢做耐刮测试。..。..
金属陶瓷机身
HTC One S的机身厚度为7.9毫米，以0.5毫米的微弱优势击败了One X，成为了HTC有史以来最薄的手机。
7.9毫米机身
厚度特写
HTC One S不仅正面、侧面都有亮点，其背壳同样看点十足。就如笔者得到的这款蓝色机型，如果各位观察仔细的话，应该会发现它的金属背壳部分并不是统一的色调，而是有一个渐变的过度，越靠近手机底部的地方颜色越深，上部反之。这样就形成了一个漂亮的渐变效果。
这个渐变效果是有来头的
特别要说明的是，虽然HTC One S的背壳为金属材质，但这个渐变效果并不是烤漆喷制的。根据HTC官方介绍，这个渐变颜色是也是用阳极处理方式做出来的，不过要有渐变，必须要在两个不同颜色间控制好上色的时间，目前HTC已经对这个特殊工艺申请了专利。
虽然同样采用了一体成型的机身设计，不过HTC One S并没有采用One X那种令人纠结的针孔取卡方式，HTC Legend那种取卡方式大家都很熟悉了，拿掉手机的下巴就能开盖了，而这次One S则是出人意料的将盖子设计到了手机上部。（我们拿到的工程机背后顶部和底部为半透明塑料材质，但正式版的HTC One S应该是磨砂质感、不透明的）
上部的盖子可以开启
拿掉盖子后，我们就能看到里面的卡槽了，不用报以幻想，HTC One S还是采用了目前高端机流行的micro SIM卡，欲用此机，必先将你的卡剪掉了。
cro SIM卡卡槽
扬声器部分
除了尖端的制造工艺，HTC One S最受我们期待的地方就在于它搭载了目前高通手机处理器中最高规格的骁龙S4双核处理器了。HTC One S的MSM8X60处理器主频达到了1.5GHz，此外，它还内置了Adrero 225图形芯片，拥有1GB RAM，硬件不但规格顶级，还极富看点。
硬件配置
关于HTC One S采用高通S4处理器可谓众说纷纭，坊间争议不断，所以笔者觉得评测到这里，有必要详细介绍一下它。HTC One S搭载的高通MSM8X60处理器属于骁龙S4系列，它采用了高通新一代双核心1.5GHzCPU，架构变成了基于ARMv7-A的“Krait”(金环蛇)，关于这点，网上有很多说法，其架构到底是Cortex-A9还是Cortex-A15有着极大的争议，其实根据官方资料，准确的说，骁龙S4的Krait架构，其实是高通独立定义自己的架构，整体性能大约达到Cortex-A15的百分之九十水平，属于类Cortex-A15架构，于是便有了骁龙S4是Cortex-A15架构的民间说法。
高通骁龙S4处理器
解决了架构的争议，我们再来好好看看高通MSM8X60的重要指标，高通MSM8X60采用了目前最高级别的28纳米制造工艺，这也决定了其功耗控制能力与执行效率不是其他45纳米双核处理器可以比肩的，就连英伟达Tegra3这种40纳米的Cortex-A9四核处理器也是矮它一头。
高通骁龙S4结构图
其实通过我们之前的很多文章，大家应该对骁龙S4处理器的性能有了一定的认识。那么，HTC One S的性能能否达到我们的预期呢？首先我们用手机性能测试大师(Quadrant Advanced)2.0专业版，对HTC One S进行了测试，在CPU、内存、I/O输入输出、2D及3D的一键式完整测试后，HTC One S也是得到了非常高的分数，5230的分数也是超越了自家四核旗舰One X。
而在安兔兔测试中，HTC One S的分数就暴露出骁龙S4处理器核心异步的劣势了。虽然骁龙S4处理器虽然制程仅有28纳米，有着不错的效率，不过其结构依旧算是aSMP（异步双核）在高负荷状态下两核心之间的协助还是稍有不足。所有One S的得分还是低于了采用Tegra 3四核处理器的One X。
安兔兔测试成绩
在Linpack浮点测试的环节上，HTC One S的成绩可以说是傲视群雄了，其单线程分数甚至与很多双核手机的多核心成绩持平，多线程更是一举突破了200分大关，要知道，就连四核的One X也才跑出了150多分的分数，成绩着实恐怖。这其中的缘由就是，相比Cortex-A9，骁龙S4的Krait构架提供了更快的FPU（浮点运算的处理器）以及改进过的架构缓存和内存控制器。这项测试无疑显示了Krait这个类Cortex-A15架构处理器在浮点运算能力上较传统Cortex-A9处理器有着质的提升。
浮点运算成绩
与One V一样，行货版的One S也将会是一部新浪微博定制手机，关于微博定制的问题，我想大家不用过分纠结，毕竟在中国还是有非常多的微博用户的，像笔者这样的微博控对这个按键还是很期待的。
作为新浪微博定制手机，行货版的HTC One S与One V一样，都可以通过专属的微博键一键微博。一般情况下，我们触动微博键会直接调出手机的微博界面，编写微博，而长按微博键则会启动位置微博来查看周边微博的微博内容。而在相机界面，如果我们长按微博键，手机将进入视频拍摄状态，拍摄完成后，这段视频将自动被转换成GIF动态图被插入微博中，这个原生的视频分享功能也是立刻让一切第三方视频软件成为了浮云。
直接发送gif图片
经过试用，HTC One S的这个一键gif的功能确实很好用，快捷的启动方式非常利于抓拍，相比之下，那些第三方的gif应用真是显得弱爆了。
gif样张
与其他One系列手机相同，One S也是采用了最新Android 4.0与HTC Sense 4.0的设计，界面风格与One X基本没有什么区别。
系统界面
HTC Sense 4.0的的大区块3D桌面受到了不少好评，它不仅解决了Android 4.0不能直接添加桌面小部件的缺陷，还加入了非常炫丽的3D任务管理器，易用性上更为出色。
3D风格界面
尽管行货的HTC One S没有内置广受好评的Dropbox云空间，但是介于云应用的大势所趋，行货版的One S使用了本土的新浪微盘作为了替代。用户直接使用新浪微博账号就能登录了，值得一提的是，首次使用HTC手机打开新浪微盘的用户还会自动再提升3GB的储存空间，而我们也可以通过每天的签到来不断提升微盘的容量。
不过目前，新浪微盘在功能上还是不及Dropbox那般强大，上传、下载还不能做到自动同步，基本上每步操作还是需要我们手动去点击才能完成步
功能有局限
HTC One S采用了800万像素摄像头，功能上与之前的One X完全一致，都支持99张的高速连拍以及双快门功能。
拍照界面
从拍照素质上讲，HTC One S与One X的优缺点基本相同，成像速度快，图像明亮、色彩表现准确是它的优点，不过细节方面还是略有欠缺。
拍照样张
微距拍照样张
总结：
采用了高通骁龙S4处理器的HTC One S在性能上无容置疑，即便面对四核手机也成绩也不占下风。而相较之前的HTC手机，其外观虽未有太大改变，但金属陶瓷的工艺计却为One S增添了不少噱头。我们期待这款手机能尽快上市，毕竟作为目前为数不多的高通S4手机，HTC One S有着较高的关注度，但其它品牌的骁龙S4手机已经相继发布，如不及早上市，One S的优势可能会被慢慢耗尽。
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