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10月 13

台积电A9处理器为何能胜过三星A9?

编辑:匿名 来源:痞客邦
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最近在亚洲果迷们最沸沸扬扬的议题,非“iPhone6s台积电与三星A9处理器的效能与续航力效能差异莫属。 网友针对台积电与三星代工的A9处理器做测试 , 在效能的跑分或是手机的续航力表现,16纳米的台积电A9处理器明显赢过14纳米的Samsung A9处理器(测试状况详见这里 ),虽然苹果官方已表示不同代工厂出货的A9芯片都符合Apple标准,根据官方测试实际电池续航力,两者差异仅在2-3%之间,不过似乎无法平息亚洲地区果迷们的疑虑,香港果粉甚至已酝酿换机或退机风潮。

三星采用的是较新的14纳米制程理论上不但在成本上占优势,效能上也会赢过台积电所使用的则是16纳米制程。 不过, 就实际使用的效能实测结果来看, 不管是苹果官方认证的2-3%之间实际电池续航力或是网友实测的近两小时差异, 台积电所代工A9的处理器胜过三星代工A9处理器却是不争的事实。 为何台积电16纳米A9处理器会胜过Samsung 14纳米A9处理器?以下整理网路的相关资讯及版主个人见解,供大家参考。

1. FinFET制程是什么?

FinFET(Fin Field-Effect Transistor,鳍式场效电晶体)是新型的多重闸道3D电晶体,是曾任台积电技术长的柏克莱电机系教授胡正明所发明。FinFET源自于目前传统标准的晶体管—场效晶体管(Field-effecttransistor;FET)的一项创新设计。在传统晶体管结构中,控制电流通过的闸门,只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开,属于平面的架构。在FinFET的架构中,闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构,可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage),也可以大幅缩短晶体管的闸长。

根据三星官方说法,Samsung 14nmFinFET制程在Low Vdd与Less Delay上的表现会优于台积电(TSMC) 20nm Planner。

Samsung 14nmFinFET制程与台积电16nm FinFET制程相比,三星14nm制程的晶体Die Size较小,相同良率下,成本会较占优势。Ptt网路爆料,台积电的A9芯片报价大约是22美元,三星的报价则可能低30%~50%,版主则认为三星报价可能低10~20% 。不过,三星的良率因不如台积电,三星的供应量无法满足苹果大量的供给需求,两家业者目前对苹果的供应占比仍在伯仲之间。

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