回顾今年的手机旗舰机型，众多厂商选择为自家的新一代旗舰产品配备了4GB RAM+128GB ROM内存组合的配置，然而历来走在手机制造业前端的三星公司貌似不仅仅满足于此，而是一直致力于研发更新、更快的UFS 2.0闪存来为用户带来更好的使用体验。
在今年2月份的时候，就有传闻显示三星正在制造一款容量高达256GB的UFS 2.0闪存芯片，现在该芯片得详细信息已经于三星官网正式亮相了，那么或许今年晚些时候发布的GALAXY Note 6就将搭载该芯片上市了。
从三星官网给出的信息来看，该芯片型号为KLUEG8U1EM-B0B1，封装尺寸为11.5x13x1.2mm(仅比32GB闪存厚了0.2mm)，MLC采用双传输信道的G3 2Lane规格，是目前规格最高的USF 2.0闪存。
