二、未来发展新趋势:3D NAND
什么是3D NAND？
3D NAND的概念其实不难理解：其原理简单说来就是“堆叠”，目前由英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这么一来，一个MLC的闪存芯片上就可以增加最高32GB的存储空间，如果是单个TLC闪存芯片则可增加48GB。就目前来说3D NAND闪存属于一种新兴的闪存类型，通过把存储颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。
3D NAND
3D NAND技术的优点
3D NAND的亮点在于它采用的是立体、垂直堆叠的方式来提高单颗粒中包含芯片的数量，堆叠层数的提高最终会带来容量的成倍提升，极大的提高产品的使用寿命；3D NAND可以提供更高的指令运行效率，使产品的运行性能得以提升；简化了编程阶段，有效减少了产品待机和工作时的能耗。
3D NAND
目前，三星、SK Hynix、东芝/闪迪、Intel/镁光这几大NAND豪门都已经涉足3D NAND闪存了，而武汉新芯科技主导的国家级存储器产业基地，更是国内首家新建的12寸晶圆厂，投产后直接生产3D NAND闪存，可以说未来3D NAND就是突破移动设备ROM容量的必备技术。
总结：
科技在进步，我们永远无法预知未来，未来的手机又会发展成啥样呢？目前，小编还是建议大家购买64GB、128GB的手机更为合适，够用就好。考虑到用户需求的问题，相信之后很长一段时间也不会出超过256GB存储规格的手机。
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