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三星成功开发高带宽高容量移动存储芯片

　　上周，三星电子宣布成功开发出世界上第一片512Mb　DRAM手机存储芯片，支持3G手机高品质的3D图形和流媒体处理技术，支持32位运算，运行和传输速度高达每秒333Mb，
且支持双512Mb芯片同时运行，1G的存储容量为手机存储技术带来质的飞跃。

　　三星的这款高带宽芯片工作电压仅为1.8伏，将支持DDR（double data rate）和SDRAM（synchronous DRAM）运行模式和尽可能多的数据传输系统。三星还准备令这款芯片支持其采用多芯片模块制造技术（MCPs）和系统级封装技术(SIP)的移动设备。

　　根据调查机构的预测，2005年拥有流视频技术的3G手机销售量有望比2004年提高67%，2008年将达到2.8亿（280 million）部。而全球手机销售量到2008年将达到7.9亿部。这就预示着三星这款512M　DRAM芯片拥有广阔的市场空间。
　　
　　这款芯片将于2005年下半年投产。届时将同时提供支持x16 和 x32通道的产品。